Центральный процессор «R2000+»

Артикул: ТВГИ.431281.029 Категория:

Микропроцессор «R2000+» (1891ВМ048) — высокоинтегрированный процессор общего назначения архитектуры SPARC со встроенными ускорителями 2D/3D-графики и кодирования-декодирования видео. Спроектирован и изготовлен по технологическим нормам 28 нм, реализует технологии энергосбережения.

Микропроцессор является «системой на кристалле» — содежит встроенный контроллер периферийных интерфейсов. Компактность и малое энергопотребление позволяют применять данную микросхему во встраиваемых системах, решениях для АСУ ТП, миниатюрных персональных компьютерах, носимых терминалах, планшетах, тонких клиентах.

Варианты наименования
Кириллица 1891ВМ048
Латиница R2000+, 1891BM048
Документация Микросхема интегральная 1891ВМ048 (ТВГИ.431281.029)
Производитель:МЦСТ



Добавить в сравнение

Описание

Микросхема центрального процессора 1891ВМ048 — система на кристалле «МЦСТ-R» 6-го поколения со встроенными ускорителями 2D/3D-графики и видео и контроллером периферийных интерфейсов. Малый размер и низкое потребление энергии подходят для настольных и мобильных персональных компьютеров, тонких клиентов, промышленной автоматики и встраиваемых систем.

Характеристики

Номенклатура
Серия микросхемы1891ВМ048
Модельный ряд1891ВМ04A8 — с тактовой частотой до 2000 МГц
1891ВМ04B8 — с тактовой частотой до 1800 МГц
1891ВМ04C8 — с тактовой частотой до 1600 МГц
Технические характеристики
АрхитектураSPARC, версия 9
Количество ядер2 ядра МЦСТ «S1» общего назначения
1 ядро МЦСТ «МГА» ускорителя 2D-графики
8 ядер Vivante «Arcturus» ускорителя 3D-графики
Тактовая частотадо 2000 МГц (1891ВМ04A8)
до 1800 МГц (1891ВМ04B8)
до 1600 МГц (1891ВМ04C8)
1000 МГц (Arcturus)
Пиковая производительностьЦП: 2 операции в такт в каждом ядре (1 цел., 1 веществ.)
ЦП: 16 GFLOPS FP32, 8 GFLOPS FP64
3D: 200 GFLOPS FP32
Кэш-памятьL1: 32 Кбайт данные + 16 Кбайт команды в каждом ядре
L2: 2 Мбайт общая память всех ядер
Оперативная память1 канал DDR4-2666 ECC, до 21,3 Гбайт/с
32 Гбайт на процессор
  ↳ поддерживаются только модули DDR4 ECC
  ↳ см. общие требования и список совместимости
Встроенный графический процессор
СоставМГА 2.6 — ускоритель 2D-графики и дисплейные контроллеры
Vivante GC8400LXSVX — ускоритель 3D-графики
VP9D/VP9E — ускорители де/кодирования видео Google VP9
Внешние интерфейсы2 дисплейных контроллера (поддержка 2 мониторов)
2 канала MIPI DSI
2 канала LVDS
1 канал RAMDAC
Ускорение 3DDirectX, OpenGL ES, OpenVG, Vulkan
Ускорение GPGPUOpenCL, OpenVX
Ускорение видеоVP9
Встроенный контроллер периферийных интерфейсов
Модельвстроенный контроллер 3-го поколения (EIOH)
Контроллеры PCI8 внешних линий PCI Express 3.1 на 2 контроллерах
  ↳ линии PCI-E мультиплексированы с линиями WLCC (КПИ-2)
  ↳ поддерживаемые режимы:
    • PCI-E x8 ∙ 1 / x4 ∙ 2
    • WLCC x8
Контроллеры Ethernet1 контроллер 10GBase-KR
2 контроллера 2.5GBase-T / 1000Base-T
  ↳ каналы Ethernet мультиплексированы между собой:
    • 10GbE ∙ 1 + 1GbE ∙ 1
    • 2.5GbE ∙ 2 (1GbE ∙ 2)
поддержка синхронизации IEEE 1588 (PTP)
Контроллеры SATA2 канала SATA 3.0 на 1 контроллере AHCI
  ↳ 2 из каналов мультиплексированы с 2 линиями PCI-E
Контроллеры USB2 канала USB 3.0/2.0/1.0 на 1 контроллере XHCI
Контроллеры Audio1 интерфейс стандарта Intel HD Audio
1 поток воспроизведения, 1 поток записи, 6 каналов в потоке
8, 16, 20, 24, 32 бита разрядность квантования
6–192 кГц частота дискретизации
Контроллеры LPC2 порта USB 1.1 (4–12 Мбит/с)
2 порта RS-232 (115,2 кбит/с)
2 порта CAN (1 Мбит/с)
5 каналов I²C/IPMB (1 МГц)
1 шина SPI на 4 устройства (50 МГц)
16 линий GPIO и модуля привязки времени
Внешний контроллер периферийных интерфейсов
Применениепри необходимости расширения набора интерфейсов
Связи1 канал ввода-вывода WLCC, до 2 Гбайт/с в каждую сторону
  ↳ мультиплексирован с PCI Express
СовместимостьКПИ-2 (1991ВГ2Я) — в режиме 2 Гбайт/с
Технологические параметры
Топология0,5 млрд. транзисторов
28 нм техпроцесс, 100 мм² площадь кристалла
Корпус29,0×29,0×3,3 мм
1380 контактов HFC BGA
Электропитание0,9 В, 1,0/1,1/1,2 В, 1,8 В
10 Вт макс.
Условия эксплуатациитемпература среды (корпуса) −40…+90 °C
предельная температура среды −60…+125 °C
давление от 10⁻⁶ мм рт. ст. до 3 атм.
влажность до 98 % при температуре +35 °C
Доступностьведётся подготовка серийного производства в 2023 году